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NCEP3065QU
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- NCEP3065QU采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP3065QU
- 商品编号
- C502964
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCEP3065QU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 65A
- R D S (ON) = 1.9mΩ(典型值),V G S = 10V
- R D S (ON) = 3.0mΩ(典型值),V G S = 4.5V
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试!
- 100%进行ΔVds测试!
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流