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NCEP60T12T
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP60T12T
- 商品编号
- C502994
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 155W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP40P80D采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -80A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 5.6mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.6mΩ（典型值）
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）表现出色
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达 175°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 经过非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- DC/DC 转换器
- 适用于高频开关和同步整流