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NCEP85T35T
1个N沟道 耐压:85V 电流:350A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP85T35T
- 商品编号
- C503005
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85mΩ@10V,175A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 324nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19.5nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP4065QU采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 65 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 2.2 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 3.3 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度可达150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试！
- 100%进行ΔVds测试！
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流应用