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NCEP0116K实物图
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NCEP0116K

1个N沟道 耐压:100V 电流:16A

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描述
NCEP0116K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
商品型号
NCEP0116K
商品编号
C503006
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.513克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))78mΩ@10V,16A
耗散功率(Pd)55W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)5.6nC@50V
输入电容(Ciss)322pF@50V
反向传输电容(Crss)5.1pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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