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NCEP01T18实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP01T18

1个N沟道 耐压:100V 电流:180A

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商品型号
NCEP01T18
商品编号
C503014
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.71克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)158nC
输入电容(Ciss)11.5nF@50V
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCEP85T16采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 85V,漏极电流(ID) = 160A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 3.8 mΩ
  • 栅极电荷(Qg)×漏源导通电阻(RDS(on))乘积优异
  • 极低的漏源导通电阻(RDS(on))
  • 工作温度175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF