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NCEP02580D
1个N沟道 耐压:250V 电流:80A
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- 描述
- NCEP02580D采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Q₉极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP02580D
- 商品编号
- C503041
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76.7nC@125V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@125V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该系列器件采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 150 V，漏极电流 (ID) = 70 A
- 栅源电压 (VGS) = 10 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 13.5 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 (RDS(on))
- 工作温度 175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
-DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流