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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP065N85D

NCEP065N85D

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商品型号
NCEP065N85D
商品编号
C503051
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)66A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)51nC@40V
输入电容(Ciss)3.1nF@40V
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 85 V,ID = 90 A
  • RDS(ON)=5.9mΩ,典型值(TO - 220)@ VGS = 10 V
  • RDS(ON)=5.7mΩ,典型值(TO - 263)@ VGS = 10 V
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 175 °C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF