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NCEP050N85D
1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP050N85D
- 商品编号
- C503054
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |