温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCEP068N10AK
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP068N10AK
- 商品编号
- C503065
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.503克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.68nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP068N10AK采用超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 80A
- RDS(ON) = 6.3 mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 8.5 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试！
- 100%进行了ΔVds测试！
应用领域
- 直流-直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
相似推荐
其他推荐