我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NCEP055N85D实物图
  • NCEP055N85D商品缩略图
  • NCEP055N85D商品缩略图
  • NCEP055N85D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP055N85D

NCEP055N85D

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCEP055N85D
商品编号
C503053
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.156克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • VDS = 85V,ID = 100A
  • R D S (O N) = 4.8mΩ,典型值(TO - 220),V G S = 10V
  • R D S (O N) = 4.6mΩ,典型值(TO - 263),V G S = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度可达 175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)测试!
  • 100% 经过 \Delta Vds 测试!

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF