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NCEP055N85D
NCEP055N85D
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP055N85D
- 商品编号
- C503053
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围：结温（Tj） = 175℃
- 可侧面焊锡浸润，便于光学焊锡检查
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路