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NCEP01ND35AG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP01ND35AG

2个N沟道 耐压:100V 电流:35A

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描述
NCEP01ND35AG采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
商品型号
NCEP01ND35AG
商品编号
C503042
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.261克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)26nC@50V
输入电容(Ciss)1.6nF@50V
反向传输电容(Crss)11pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF