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NCEP40ND80G
超沟槽功率MOSFET
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- 描述
- 采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40ND80G
- 商品编号
- C503043
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V；4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
商品概述
NCEP02525F采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 80A
- VGS = 10V 时,RDS(ON) = 4.3mΩ(典型值)
- VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 5.5mΩ(典型值)
- 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度 150℃
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行 UIS 测试!
- 100% 进行 ΔVds 测试!
- DFN 5X6 封装
应用领域
-DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流