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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP058N85

1个N沟道 耐压:85V 电流:95A

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商品型号
NCEP058N85
商品编号
C503045
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.724克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))5.4mΩ@10V,45A
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)3.55nF@40V
反向传输电容(Crss)22pF@40V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

NCEP02580采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压 (VDS) = 250V,漏极电流 (ID) = 80A
  • 栅源电压 (VGS) = 10V时,漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 18.5 mΩ
  • 栅极电荷和漏源导通电阻 (RDS(on)) 的乘积优异
  • 极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF