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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP050N85

1个N沟道 耐压:85V 电流:120A

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商品型号
NCEP050N85
商品编号
C503047
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V,60A
耗散功率(Pd)160W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)3.9nF@40V
反向传输电容(Crss)27pF@40V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 85V,ID = 120A
  • RDS(ON) = 4.7mΩ,典型值(TO - 220),@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 4.5mΩ,典型值(TO - 263),@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 175 °C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • 直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF