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NCEP0160A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容（Crss）与输入电容（Ciss）之比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐用性
应用领域
-开关应用