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NCEP0160A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 60A
- RDS(ON) = 8.5 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 10.4 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流