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NCEP85T12
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP85T35T采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 85V，漏极电流（ID） = 350A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 1.85 mΩ
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（Qg × RDS(on)）表现出色
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%经过单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
-直流-直流转换器-适用于高频开关和同步整流