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NCEP60T20D
NCEP60T20D
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP60T20D
- 商品编号
- C502998
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.742857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NCEP60T20D采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 200A
- RDS(ON) = 1.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流