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NCEP4045GU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP4045GU

1个N沟道 耐压:40V 电流:45A

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描述
NCEP4045GU采用了超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
商品型号
NCEP4045GU
商品编号
C502973
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.197克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)17.6nC
输入电容(Ciss)831pF@20V
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP6090采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 90A
  • 在栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 6.9mΩ(典型值:6.4mΩ)
  • 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻(RDS(on))乘积
  • 极低的漏源导通电阻(RDS(on))
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册PDF