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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP6090AGU

1个N沟道 耐压:60V 电流:90A

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描述
采用超级沟槽技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP6090AGU
商品编号
C502993
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)67nC@30V
输入电容(Ciss)4nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP6090AGU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 90A
  • RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!

应用领域

-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF