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NCEP6090AGU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP6090AGU

1个N沟道 耐压:60V 电流:90A

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描述
采用超级沟槽技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP6090AGU
商品编号
C502993
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V,45A
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)67nC@30V
输入电容(Ciss)4nF@30V
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF