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NCEP40T17A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP40T17A

1个N沟道 耐压:40V 电流:170A

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描述
使用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP40T17A
商品编号
C502985
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.71克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V,85A
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)88.6nC@10V
输入电容(Ciss)5.67nF@20V
反向传输电容(Crss)62pF@20V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

NCEP30T15GU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 150A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 1.5mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 2.0mΩ(典型值)
  • 出色的栅极电荷×漏源导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数 - FOM)
  • 极低的导通电阻(RDS(on))
  • 工作温度可达150°C
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF