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NCEP40T15A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP40T15A

1个N沟道 耐压:40V 电流:150A

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描述
使用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP40T15A
商品编号
C502984
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.77克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))1.75mΩ@10V,75A
耗散功率(Pd)210W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.4V
栅极电荷量(Qg)81nC@20V
输入电容(Ciss)4.9nF@20V
反向传输电容(Crss)80pF@20V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE3401Y 采用了先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并且可以在低至 2.5V 的栅极电压下正常工作。该器件适用于用作负载开关或在脉冲宽度调制(PWM)应用中使用。

商品特性

  • 漏极-源极电压(VDS)= -30V,漏极电流(ID)= -4.2A
  • 当栅极-源极电压(VGS)= -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON))< 130mΩ
  • 当栅极-源极电压(VGS)= -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))< 75mΩ
  • 当栅极-源极电压(VGS)= -10V 时,导通电阻(RDS(ON))< 55mΩ
  • 具有高功率和大电流处理能力
  • 无铅产品
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 脉宽调制(PWM)应用 - 限流开关 - 能量管理

数据手册PDF