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NCEP30T15GU
超沟槽功率MOSFET
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- 描述
- 采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP30T15GU
- 商品编号
- C502969
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.372nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 902pF |
商品概述
NCEP40P80K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 150A
- RDS(ON) = 1.5mΩ(典型值),VGS = 10V
- RDS(ON) = 2.0mΩ(典型值),VGS=4.5V
- 出色的栅极电荷与RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度 150°C
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流