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NCEP3045GU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP3045GU

1个N沟道 耐压:30V 电流:45A

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描述
NCEP3045GU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
商品型号
NCEP3045GU
商品编号
C502962
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)822pF
反向传输电容(Crss)15.3pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP40T15A采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻和栅极电荷极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏源电压 = 40 V,漏极电流 = 150 A
  • 栅源电压为10 V时,漏源导通电阻 = 1.75 mΩ(典型值)
  • 出色的栅极电荷×漏源导通电阻乘积(品质因数)
  • 极低的漏源导通电阻
  • 工作温度达150 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF