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NCE65T900I

NCE65T900I

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商品型号
NCE65T900I
商品编号
C502917
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.676克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))750mΩ@10V,2.5A
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)370pF@50V
反向传输电容(Crss)0.5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用中 AC-DC 开关电源 (SMPS) 的要求。

商品特性

  • 适用于高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)

数据手册PDF