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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE10TD60BD

600V、10A沟槽式FSII快速绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

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描述
使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。
商品型号
NCE10TD60BD
商品编号
C502936
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
2.182克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)20A
耗散功率(Pd)83W
输出电容(Coes)40pF
正向脉冲电流(Ifm)30A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.9V@10A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)44nC@15V
输入电容(Cies)1.127nF
开启延迟时间(Td(on))20ns
关断延迟时间(Td(off))73ns
导通损耗(Eon)210uJ
关断损耗(Eoff)110uJ
反向恢复时间(Trr)158ns
反向传输电容(Cres)24pF

数据手册PDF