温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE30TD60BD
600V、30A沟槽式FS II快速绝缘栅双极晶体管（IGBT）
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FS II IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30TD60BD
- 商品编号
- C502954
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输出电容(Coes) | 106pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 90A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.552nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 166ns | |
| 导通损耗(Eon) | 360uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 320uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 178ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 67pF |
相似推荐
其他推荐