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NCEP40P80K
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- NCEP40P80K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40P80K
- 商品编号
- C502959
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.2nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.738nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE60P04R采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -40V, ID = -80A
- RDS(ON) = 5.6mΩ(典型值)@ VGS=-10V
- RDS(ON) = 7.6mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 出色的栅极电荷 xRDS(ON)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流