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NCE70T360K

1个N沟道 耐压:700V 电流:11.5A

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描述
采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于行业交流-直流开关电源的功率因数校正、交流/直流电源转换和工业电源应用。
商品型号
NCE70T360K
商品编号
C502909
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.456克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)11.5A
导通电阻(RDS(on))330mΩ@10V,7A
耗散功率(Pd)101W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)19nC@480V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)1.8pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、交直流电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。

商品特性

  • 高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100%雪崩测试
  • 符合ROHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF