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BSS138K实物图
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BSS138K

N沟道增强型MOSFET,电流:0.22A,耐压:50V

商品型号
BSS138K
商品编号
C502867
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)2.4nC@10V
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 50V,漏极电流(ID) = 0.22A
  • 栅源电压(VGS) = 5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 3Ω
  • 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 2Ω
  • 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2300V
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 直接逻辑电平接口:晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
  • 驱动器:继电器、螺线管、指示灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
  • 电池供电系统
  • 固态继电器

数据手册PDF