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NCE0224D
1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0224D
- 商品编号
- C502866
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE4963采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = -20 V，漏极电流 (ID) = -7 A
- 栅源电压 (VGS) 为 -4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 27 mΩ
- 栅源电压 (VGS) 为 -2.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 39 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电机驱动-负载开关-电源管理