温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE60P04R
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE60P04R采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P04R
- 商品编号
- C502855
- 商品封装
- SOT-223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.269克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE6005AN采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ（典型值26mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ（典型值32 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源