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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE2312A

1个N沟道 耐压:20V 电流:5A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
NCE2312A
商品编号
C502860
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)780pF@10V
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE2312A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(Rdson)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 5 A
  • 当栅源电压(VGS) = 2.5 V时,导通电阻(Rdson) < 35 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(Rdson) < 28 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护-负载开关-电源管理

数据手册PDF