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NCE8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- NCE8205采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻Rds(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE8205
- 商品编号
- C502858
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE40H12I采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 120A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（E_AS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源