我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
NCE30ND07S实物图
  • NCE30ND07S商品缩略图
  • NCE30ND07S商品缩略图
  • NCE30ND07S商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30ND07S

2个N沟道 耐压:30V 电流:7A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
NCE30ND07S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE30ND07S
商品编号
C502856
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.196克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)7.2nC@15V
输入电容(Ciss)380pF@15V
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE8205采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压 = 20V,漏极电流 = 4A
  • 栅源电压为2.5V时,漏源导通电阻 < 37 mΩ
  • 栅源电压为4.5V时,漏源导通电阻 < 27 mΩ
  • 具备高功率和大电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 采用表面贴装封装

应用领域

-电池保护-负载开关-电源管理

数据手册PDF