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NCE6602
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6602
- 商品编号
- C502852
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
NCE6602采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 3.5 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 58 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 95 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -2.7 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 150 mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池保护-开关应用