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NCE30NP07S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- NCE30NP07S采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30NP07S
- 商品编号
- C502853
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 691.9pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE30NP07S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 6.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 24mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 37mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -7A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 32mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 70mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品符合无铅标准
- 表面贴装封装