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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4963

2个P沟道 耐压:20V 电流:7A

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描述
使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
商品型号
NCE4963
商品编号
C502854
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)10nC
输入电容(Ciss)1.21nF@10V
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE4953A采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压 = -30V,漏极电流 = -5.3A
  • 栅源电压为 -4.5V时,漏源导通电阻 < 85 mΩ
  • 栅源电压为 -10V时,漏源导通电阻 < 49 mΩ
  • 具备高功率和电流处理能力
  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF