我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
NCE30ND09S实物图
  • NCE30ND09S商品缩略图
  • NCE30ND09S商品缩略图
  • NCE30ND09S商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30ND09S

2个N沟道 耐压:30V 电流:9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用
商品型号
NCE30ND09S
商品编号
C502842
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.196克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)17.5nC@15V
输入电容(Ciss)1.21nF@15V
反向传输电容(Crss)105pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE30ND09S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 9A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 17mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF