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NCE1502R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE1502R

1个N沟道 耐压:150V 电流:2A

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描述
NCE1502R采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE1502R
商品编号
C502844
商品封装
SOT-223-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.232克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V,1.5A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)8nC@75V
输入电容(Ciss)235pF@25V
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE0208KA采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V,漏极电流(ID) = 8A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 300 mΩ(典型值:260 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现极低的导通电阻
  • 对雪崩电压和电流进行了全面特性分析
  • 栅极至漏极电荷低,可降低开关损耗

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF