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NCE01P03S
1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- NCE01P03S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01P03S
- 商品编号
- C502846
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE60P10K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -10A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 120 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 170 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
-负载开关-PWM应用