NCE0240F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0240F采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 41 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电ESD能力
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源