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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE01ND03S

2个N沟道 耐压:100V 电流:3A

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描述
NCE01ND03S采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE01ND03S
商品编号
C502845
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@4.5V,3A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)21.5nC@50V
输入电容(Ciss)730pF@50V
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE1502R采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压 = 150V,漏极电流 = 2A
  • 栅源电压为10V时,漏源导通电阻 < 300 mΩ(典型值:260 mΩ)
  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 采用散热性能良好的封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路

数据手册PDF