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NCE60P06S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.578nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE6050A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源