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NCE15P25JK
1个P沟道 耐压:150V 电流:25A
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- 描述
- NCE15P25JK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE15P25JK
- 商品编号
- C502839
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.527克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@75V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE6080D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -150 V,ID = -25 A
- RDS(ON) < 150 m Ω(VGS = -10 V)(典型值为120 m Ω)
- RDS(ON) < 160 m Ω(VGS = -4.5 V)(典型值为131 m Ω)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-便携式设备和电池供电系统