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NCE01P18D
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色RDS(ON)。可用于各种应用，具备ESD保护。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01P18D
- 商品编号
- C502831
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.81nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE01P18D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -100V，ID = -18A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 100 mΩ（典型值：85 mΩ）
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 120 mΩ（典型值：95 mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统