温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE0208KA
1个N沟道 耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0208KA
- 商品编号
- C502830
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
NCE30PD08S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -8A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 35mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池开关-负载开关-电源管理