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NCE40H12I
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- NCE40H12I采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40H12I
- 商品编号
- C502824
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.618克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
NCE01P03S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100V，漏极电流（ID） = -3A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 200 mΩ（典型值：170 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 230 mΩ（典型值：200 mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器