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NCE3008M
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- NCE3008M采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3008M
- 商品编号
- C502826
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE60ND09AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 9A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ（典型值：10 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ（典型值：14 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完整
- 低栅漏电荷，可降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关