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NCE3008M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3008M

1个N沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
NCE3008M采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
NCE3008M
商品编号
C502826
商品封装
SOT-89-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.158克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))22.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)14.2nC@30V
输入电容(Ciss)564pF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE60ND09AS采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用。

商品特性

  • VDS = 30V, ID = 8A
  • RDS(ON) < 22.5 m Ω @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) < 32 m Ω @ VGS = 4.5 V
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF