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NCE6050A
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的低导通电阻RDS(ON)。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6050A
- 商品编号
- C502821
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.876克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE8295AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 82 V，漏极电流（ID） = 95 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.0 mΩ（典型值：6.6 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 专为转换器和电源控制设计
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源