温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE0130KA
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的优异导通电阻，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0130KA
- 商品编号
- C502817
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.523克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.479nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE6003M采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 3.0A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 100 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 120 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器