我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NCE0130KA实物图
  • NCE0130KA商品缩略图
  • NCE0130KA商品缩略图
  • NCE0130KA商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0130KA

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
采用先进的沟槽技术和设计,可提供低栅极电荷的优异导通电阻,可用于多种应用。
商品型号
NCE0130KA
商品编号
C502817
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.523克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)67.2nC@10V
输入电容(Ciss)2.479nF
反向传输电容(Crss)79pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE6003M采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 100V, ID = 30A
  • RDS(ON)< 32 m Ω@ VGS=10 V (典型值:25 m Ω )
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 散热性能良好的出色封装

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF